Electron-Hole and Electron-Impurity Band Tunneling in GaAs Luminescent Junctions
Electron-Hole and Electron-Impurity Band Tunneling in GaAs Luminescent Junctions
复制标题
GaAs 发光结中的电子空穴和电子杂质带隧道
DOI：
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发表时间：
1963
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. M. Whelan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. J. Archer;R. Leite;A. Yariv;S. Porto;J. M. Whelan
