Triplet to singlet relaxation in a GaAs quantum dot in the regime of filling factor between 2 and 4
Triplet to singlet relaxation in a GaAs quantum dot in the regime of filling factor between 2 and 4
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填充因子在 2 到 4 范围内的 GaAs 量子点中的三重态到单重态弛豫
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Yamamoto and S.Tarucha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Hitachi;J.Sugawa;M.Yamamoto and S.Tarucha
