Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: high-quality p-type Ge films on Si
Advances in surfactant-mediated growth of germanium on silicon: high-quality p-type Ge films on Si
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表面活性剂介导的硅上锗生长的进展：硅上高质量p型Ge薄膜
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Hofmann
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Wietler;A. Ott;E. Bugiel;K. Hofmann
