Physical and electrical caharacterization of PLCVD Nitride HfSiO gate dielectrics
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PLCVD 氮化物 HfSiO 栅极电介质的物理和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Horii
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P.Punchaipetch;T.Okamoto;H.Nakamura;Y.Uraoka;T.Fuyuki;S.Horii
