Electron Channeling Contrast Imaging of Defects in III-Nitride Semiconductors
Electron Channeling Contrast Imaging of Defects in III-Nitride Semiconductors
复制标题
III 族氮化物半导体缺陷的电子沟道对比成像
DOI：
10.1017/s1431927614006849
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发表时间：
2014
影响因子：
2.8
通讯作者：
Trager-Cowan C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Trager-Cowan C
DOI：
10.1136/ebmh.11.4.102
发表时间：
2008-10
期刊：
Evidence Based Mental Health
影响因子：
--
作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles
通讯作者：
P. Cochat;L. Vaucoret;J. Sarles