Y.Narita, T.Inubushi, M.Harashima, Kanji Yasui, T.Akahane: "Initial stage of 3C-SiC growth on Si (001)-2xl surface using monomethylsilane"Applied Surface Science. 216. 575-579 (2003)
Y.Narita, T.Inubushi, M.Harashima, Kanji Yasui, T.Akahane: "Initial stage of 3C-SiC growth on Si (001)-2xl surface using monomethylsilane"Applied Surface Science. 216. 575-579 (2003)
复制标题
Y.Narita、T.Inubushi、M.Harashima、Kanji Yasui、T.Akahane：“使用单甲基硅烷在 Si (001)-2xl 表面上生长 3C-SiC 的初始阶段”应用表面科学。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
