Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer
Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of Ge1-xSnx layer
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通过插入 Ge1-xSnx 层控制金属/Ge 界面处的肖特基势垒高度
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Suzuki;O. Nakatsuka;S. Shibayama;M. Sakashita;W. Takeuchi;M. Kurosawa;and S. Zaima
