Dislocation generation in GaN heteroepitaxy
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DOI：
10.1016/s0022-0248(98)00240-1
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发表时间：
1998-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
X. Wu;P. Fini;E. Tarsa;B. Heying;S. Keller;U. Mishra;S. Denbaars;J. Speck
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Wu;P. Fini;E. Tarsa;B. Heying;S. Keller;U. Mishra;S. Denbaars;J. Speck
