Growth of side facets in InP nanowires : First-principles-based approach
Growth of side facets in InP nanowires : First-principles-based approach
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InP 纳米线侧面的生长：基于第一原理的方法
DOI：
10.1016/j.susc.2012.12.009
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
伊藤智徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山下智樹;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳
