Electron g factor in a gated InGaAs channel with double InAs-inserted wells
Electron g factor in a gated InGaAs channel with double InAs-inserted wells
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具有双 InAs 插入井的门控 InGaAs 通道中的电子 g 因子
DOI：
10.1016/j.physe.2003.11.098
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发表时间：
2004
影响因子：
3.3
通讯作者：
T. Akazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Lin;J. Nitta;T. Koga;T. Akazaki
