Characterisation of the charge collection properties in a segmented planar HPGe detector
Characterisation of the charge collection properties in a segmented planar HPGe detector
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分段平面 HPGe 探测器中电荷收集特性的表征
DOI：
10.1016/j.nima.2020.164804
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Rintoul E
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rintoul E
分段式锗半导体探测器提供出色的γ射线光谱信息，同时还对它们的有效体积内的相互作用的位置敏感。理解探测器对整个体积内γ射线相互作用的响应是解释信号输出所必需的。这项工作是第一次评估的响应和电荷收集性能的电冷却Mirion技术制造的平面HPGe探测器与硼注入p+和非晶锗为基础的n+条接触。通过对59.5 keV和661.7 keV的γ射线进行准直束扫描，表征了探测器的信号响应随γ射线相互作用位置的变化。已经产生了通过检测器体积和跨检测器表面生成的平均信号的数据库。通过深度的参数化上升时间响应的地图已经产生，并用于应用脉冲形状分析技术，提高探测器内的位置分辨率。
Segmented germanium semiconductor detectors provide excellent γ-ray spectroscopic information whilst also being sensitive to the position of interactions within their active volume. Understanding the detector response to γ-ray interactions throughout its volume is required for interpreting the signal output. This work is the first assessment of the response and charge collection properties of an electrically-cooled Mirion Technologies-manufactured planar HPGe detector with boron implanted p+ and amorphous germanium based n+ strip contacts. The signal response of the detector as a function of γ-ray interaction position has been characterised by performing collimated beam scans with 59.5 keV and 661.7 keV γ-rays. A database of average signals, generated through the detector volume and across the detector surfaces, has been produced. A map of parameterised rise time response through depth has been generated and used to apply pulse shape analysis techniques, improving the position resolution within the detector.
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