Novel Wideband Millimeter-Wave GaN Power Amplifier Design Using Transistors With Large Drain Capacitance and High Optimum Load Impedance
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DOI：
10.1109/tcsii.2023.3291383
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kwok-Keung M. Cheng
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jie Shi;Xiaohu Fang;Hao Yu;Jiangwei Sui;Kwok-Keung M. Cheng
