中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価
中温GaN 層上InGaN 多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価
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中温GaN层InGaN多量子阱结构V坑附近势垒的显微光谱评估
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田陽一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
倉井聡;大川康平,槇尾凌我;高俊吉;野畑元喜;岡田成仁;只友一行;山田陽一
