K.Watanabe, M.Momose, K.Hara, H.Munekata and H.Kukimoto: "Selective Area Chemical Beam Epitaxy of GaAs Using Ga_2O_3 as a Mask Layr" J.Cryst.Growth. vol.169. 223-226 (1996)
K.Watanabe, M.Momose, K.Hara, H.Munekata and H.Kukimoto: "Selective Area Chemical Beam Epitaxy of GaAs Using Ga_2O_3 as a Mask Layr" J.Cryst.Growth. vol.169. 223-226 (1996)
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K.Watanabe、M.Momose、K.Hara、H.Munekata 和 H.Kukimoto：“使用 Ga_2O_3 作为掩模层的 GaAs 选择性区域化学束外延”J.Cryst.Growth。
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