Fabrication of high density ultrafine GaAs quantum wire array structures using selective metalorganic chemical vapor deposition
Fabrication of high density ultrafine GaAs quantum wire array structures using selective metalorganic chemical vapor deposition
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采用选择性金属有机化学气相沉积法制备高密度超细砷化镓量子线阵列结构
DOI：
10.1016/0039-6028(92)91123-s
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发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
T. Fukui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Chang;S. Ando;T. Fukui
