Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas
Morphological and Compositional Changes in AlGaN Surfaces etched by RF Capacitively Coupled Carbon Tetrafluoride and Argon Plasmas
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射频电容耦合四氟化碳和氩等离子体蚀刻 AlGaN 表面的形态和成分变化
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Hirai and T. Mukai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kawakami;M. Niibe;Y. Nakano;T. Shirahama;S. Hirai and T. Mukai
