Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate
Suppression mechanism of double positioning growth in 3C-SiC(111) crystal by using an off-axis Si(110) substrate
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离轴Si(110)衬底对3C-SiC(111)晶体双定位生长的抑制机制
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Nishino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Nakamura;T.Isshiki;T.Nishiguchi;K.Nishio;S.Ohshima;S.Nishino
