Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_4
Preparation and Characterization of Hafnium Silicate Dielectric Layers by Photo-Assisted MOCVD Using Mixed Precursor of Hf(O-t-C_4H_9)_4 and Si(O-t-C_4H_9)_4
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Hf(O-t-C_4H_9)_4和Si(O-t-C_4H_9)_4混合前驱体光辅助MOCVD制备硅酸铪电介质层并表征
DOI：
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发表时间：
2008
影响因子：
0.7
通讯作者：
T. Kanashima and M. Okuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Lee;T. Kanashima and M. Okuyama
