Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements
Heterointerface properties of diamond MOS structures studied using capacitance–voltage and conductance–frequency measurements
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使用电容-电压和电导-频率测量研究金刚石 MOS 结构的异质界面特性
DOI：
10.1016/j.diamond.2018.11.019
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发表时间：
2019
影响因子：
4.1
通讯作者：
M. Kasu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Saha;M. Kasu
具有高 k 栅极绝缘体的金刚石场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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作者：
西村知紀;矢嶋赳彬;長汐晃輔;鳥海明;Y. Koide
通讯作者：
Y. Koide