UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报
影响因子:
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通讯作者:
陈松岩
陈松岩
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
赖虹凯;余金中;周笔;王启明;汪建元;李成;林桂江;周志文;张永;蔡坤煌;蔡志猛;陈松岩

文献摘要

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