Spin Dynamics in Semiconductors
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DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3_4
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Flatté;J. Byers;W. Lau
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Flatté;J. Byers;W. Lau
在探测和操纵半导体自旋动力学方面的最新进展提出了一种新的基于自旋的半导体电子技术[1-3]。这些进展包括传导电子自旋的超快全光学操纵[4-9]，磁性杂质的核心电子[5]和原子核[10-12]，以及光学取向的全电产生[13-15]和一类新的III-V族铁磁半导体的发展[16，17]（见第二章）。1、2、3和5）因此，自旋电子器件所必需的半导体的材料特性似乎正在形成。
Recent advances in probing and manipulating spin dynamics in semiconductors suggest a new semiconducting electronics technology based on spin [1–3]. These advances include ultrafast all-optical manipulation of the spins of conduction electrons [4–9], core electrons of magnetic impurities [5], and nuclei [10–12], as well as all-electrical generation of optical orientation [13–15] and the development of a new class of III-V ferromagnetic semiconductors [16,17] (See Chaps. 1, 2, 3 and 5.) Thus thematerial propertiesof semiconductors essential to spintronic devices appear to be taking shape.