Impurity Position in a Mn-Doped Bi2Te3 Topological Insulator Investigated by X-Ray Fluorescence Holography
Impurity Position in a Mn-Doped Bi2Te3 Topological Insulator Investigated by X-Ray Fluorescence Holography
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X 射线荧光全息术研究锰掺杂 Bi2Te3 拓扑绝缘体中的杂质位置
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細川伸也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Matsushita Tomohiro;Muro Takayuki;Matsui Fumihiko;Happo Naohisa;Hosokawa Shinya;Ohoyama Kenji;Sato-Tomita Ayana;Sasaki Yuji C.;Hayashi Kouichi;細川伸也
