放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価
放射光XPSによるSiO2/4H-SiC構造の伝導帯オフセット評価
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使用同步辐射 XPS 评估 SiO2/4H-SiC 结构的导带偏移
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
桐野嵩史;他
