Carrier Redistribution Analysis of Gate-Biased SiC Power MOSFET Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
Carrier Redistribution Analysis of Gate-Biased SiC Power MOSFET Using Super-Higher-Order Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy
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使用超高阶扫描非线性介电显微镜对栅极偏置 SiC 功率 MOSFET 进行载流子重新分布分析
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Norimichi Chinone and Yasuo Cho
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Koichi Hamaguchi;Seng Pei Liew;Takeo Moroi;Yasuhiro Yamamoto;茅根慎通，後藤安則，長康雄;Seng Pei Liew;Norimichi Chinone and Yasuo Cho
