H.Ohyama et al.: "Radiation effects on n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process"Nucl.Instrum.Methods B. Vol.186. 419-423 (2002)
H.Ohyama et al.: "Radiation effects on n-MOSFETs fabricated in a BiCMOS process"Nucl.Instrum.Methods B. Vol.186. 419-423 (2002)
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H.Ohyama 等人：“BiCMOS 工艺中制造的 n-MOSFET 的辐射效应”Nucl.Instrum.Methods B.Vol.186。
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