フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール
フェムト秒レーザー照射によるNi/SiC界面へのひずみ導入と低温アニール
复制标题
通过飞秒激光照射和低温退火向 Ni/SiC 界面引入应变
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
岡田 達也
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
滝谷 悠介;近藤 健太;植木 智之;田中 康弘;富田 卓朗;岡田 達也
