Direct Growth of High-Quality Mono-Layer Graphene on Insulating Substrate by Advanced Plasma CVD
Direct Growth of High-Quality Mono-Layer Graphene on Insulating Substrate by Advanced Plasma CVD
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采用先进等离子体 CVD 在绝缘基板上直接生长高质量单层石墨烯
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Setiawan;N.;Osanai;Y.;Nakano;N.;Adachi;T.;Yonemura;K.;et al;吉岡 七緒;Maki Okube and Satoshi Sasaki;Katsuo Tsukamoto;T. Kato
