バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性
バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性
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通过热 C+ 离子注入体硅衬底形成 SiC 纳米点 (IV)：平面取向依赖性
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金澤力斗;青木孝，鮫島俊之，水野智久;山本将輝，青木孝，鮫島俊之，水野智久
