Atomistic behaviour of (n ×3)-reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition
Atomistic behaviour of (n ×3)-reconstructed areas of InAs-GaAs(001) surface at the growth condition
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生长条件下InAs-GaAs(001)表面(n×3)重建区域的原子行为
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.01.009
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kaida Ryo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Konishi Tomoya;Tsukamoto Shiro;Ito Tomonoroi;Akiyama Toru;Kaida Ryo
