III-V 族半導体へテロ構造による２次元トポロジカル絶縁体の実現
III-V 族半導体へテロ構造による２次元トポロジカル絶縁体の実現
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利用III-V族半导体异质结构实现二维拓扑绝缘体
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木恭一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
児玉俊之;冨田知志;澤田桂;細糸信好;柳久雄;鈴木恭一
