MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on 100-mm-diameter sapphire substrates
MOVPE growth and characterization of high-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on 100-mm-diameter sapphire substrates
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2004.08.117
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发表时间：
2004-12
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Miyoshi;M. Sakai;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo;Mitsuhiro Tanaka;O. Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Miyoshi;M. Sakai;H. Ishikawa;T. Egawa;T. Jimbo;Mitsuhiro Tanaka;O. Oda
