Oxidation of TaS2 for high-k gate dielectric of 2D FET
Oxidation of TaS2 for high-k gate dielectric of 2D FET
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用于 2D FET 高 k 栅极电介质的 TaS2 氧化
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshio Hashimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hayate Takeuchi;Noriyuki Urakami;Yoshio Hashimoto
