Current induced domain wall motion in comepnsated Mn4-xNixN at room temperature and Ni composition ratio dependence of the properties
Current induced domain wall motion in comepnsated Mn4-xNixN at room temperature and Ni composition ratio dependence of the properties
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室温下补偿 Mn4-xNixN 中电流引起的畴壁运动以及性能的 Ni 成分比依赖性
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.-P. Attane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Komori;S. Ghosh;A. Hallal;J. P. Garcia;T. Gushi;T. Hirose;H. Mitarai;H. Okuno;J. Vogel;M. Chshiev;L. Vila;T. Suemasu;S. Pizzini;J.-P. Attane
