Influence of the Generation Distribution on the Calculated EBIC Contrast of Line Defects
Influence of the Generation Distribution on the Calculated EBIC Contrast of Line Defects
复制标题
生成分布对计算的线路缺陷 EBIC 对比度的影响
DOI：
10.1002/pssa.2210730211
复制
发表时间：
1982
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. Venturi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Donolato;P. Venturi
采用均匀生成球和修正高斯分布两种生成方案，对扫描电镜电子束感应电流（EBIC）模式下硅中具有代表性的线缺陷图像进行了计算机模拟。利用无缺陷半导体中少数载流子扩散问题的求解方法，建立了缺陷处EBIC对比度的解析模型。计算图像与实验图像的比较表明，高斯近似能更好地描述观测到的对比度。理论与实验之间的剩余差异归因于耗竭层效应。
Images of representative line defects in silicon, as obtained by the electron beam induced current (EBIC) mode of the scanning electron microscope, are computer simulated using two generation schemes: the uniform generation sphere and a modified Gaussian distribution. The simulations are based on an analytical model of EBIC contrast at defects, which makes use of the solution of the minority-carrier diffusion problem in the defect-free semiconductor. A comparison between calculated and experimental images indicates that the Gaussian approximation gives a better description of the observed contrast. Residual differences between theory and experiment are attributed to depletion layer effects.
Abbildungen typischer Liniendefekte in Silizium, die durch Anwendung der EBIC-Methode des Raster-Elektronenmikroskops erhalten werden, werden Computer-simuliert unter Verwendung zweier Erzeugungsnaherungen: eine Kugel gleichmasiger Generation und eine modifizierte Gaussche Verteilung. Die Simulationen gehen von einem analytischen Modell des EBIC-Kontrasts an Defekten aus, wobei die Losung des Diffusionsproblems fur Minoritatsladungstrager im defektfreien Halbleiter verwendet wird. Der Vergleich berechneter und experimenteller Abbildungen weist darauf hin, das die Gaussche Naherung eine bessere Beschreibung des beobachteten Kontrasts ergibt. Restunterschiede zwischen Theorie und Experiment werden auf Effekte in der Verarmungszone zuruckgefuhrt.