Fluoride ion conducting behavior in nonstoichiometric lanthanum oxyfluoride
Fluoride ion conducting behavior in nonstoichiometric lanthanum oxyfluoride
复制标题
非化学计量氟氧化镧中氟离子的传导行为
DOI：
10.1016/j.ceramint.2022.10.079
复制
发表时间：
2023
影响因子：
5.2
通讯作者：
Imanaka Nobuhito
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Momai Mizuki;Tamura Shinji;Imanaka Nobuhito
非化学计量的氟氧化镧LaO 1 − xF 1 +2x（0 ≤x≤ 0.5）和Sr 2+掺杂的La 1 −ySryO0.6−x−0.5yF1.8+2x（0 ≤x≤ 0.2，0 ≤y≤ 0.4）被研究作为氟离子（F−）导体的潜在候选物。虽然化学计量的LaOF已经被报道表现出在四方α-相（空间群：P4/nmm）和三方β-相（R-3 m）之间的相变，但是通过将过量的F−离子引入到氟氧化镧的晶格中，这种相变被成功地抑制了。此外，过量F−离子的引入也改善了氟氧化物晶格的导电性能。在所研究的各种样品中，观察到La0.7Sr0.3O0.4F1.9（x= 0.05，y = 0.3）的F−离子电导率最高，在300 °C时的值为2.9 × 10−4S cm− 1，约为化学计量LaOF的930倍。
Nonstoichiometric lanthanum oxyfluorides, LaO1−xF1+2x(0 ≤x≤ 0.5) and Sr2+-doped La1−ySryO0.6−x−0.5yF1.8+2x(0 ≤x≤ 0.2, 0 ≤y≤ 0.4), were investigated as potential candidates for fluoride ion (F−) conductors. Although stoichiometric LaOF has been reported to exhibit a phase transition between the tetragonal α-phase (space group:P4/nmm) and trigonal β-phase (R-3m), such a phase transition was successfully suppressed by introducing excess F−ions into the lattice of lanthanum oxyfluoride. Furthermore, the introduction of excess F−ions, also improved the-conducting properties of the oxyflouride lattice. Among the various samples investigated, it was observed that, the F−ion conductivity of La0.7Sr0.3O0.4F1.9(x= 0.05,y= 0.3) was the highest, with a value of 2.9 × 10−4S cm−1at 300 °C, approximately 930 times higher than that of stoichiometric LaOF.
登录
查看更多内容
锑 (III) MnSbxFy 复合氟化物中的超离子传导（M—碱金属、铵或铊的阳离子，n = 1–3，x = 1–4）
影响因子：
1.2
作者：
V. Kavun;N. Uvarov;A. Slobodyuk;O. Brovkina;L. A. Zemnukhova;V. Sergienko
通讯作者：
V. Sergienko
影响因子：
1.9
作者：
Grenier, Antonin;Gutierrez, Ana Gabriela Porras;Dambournet, Damien
通讯作者：
Dambournet, Damien
稀土氟氧化物的晶体结构和非化学计量
DOI：
--
发表时间：
1971
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Niihara;S. Yajima
通讯作者：
S. Yajima
R Y、La、Pr、Nd、SmEr ROF 菱面体-立方相变的热力学
影响因子：
6.2
作者：
T. Petzel;V. Marx;B. Hormann
通讯作者：
B. Hormann
四方晶系和菱方晶系氟氧化镧化合物的结构和电导率
影响因子：
3.9
作者：
J. Fergus;H. P. Chen
通讯作者：
H. P. Chen