Interfacial structure in silicon nitride sintered with lanthanide oxide
Interfacial structure in silicon nitride sintered with lanthanide oxide
复制标题
氮化硅与镧系氧化物烧结的界面结构
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Shibata 他
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C.Dwyer;A.Ziegler;N.Shibata 他
登录
查看更多内容
氮化硅中稀土原子晶界的三维组织
影响因子：
4
作者：
G. Winkelman;C. Dwyer;T. Hudson;D. Nguyen;M. Döblinger;R. Satet;M. Hoffmann;D. Cockayne
通讯作者：
D. Cockayne
Si 3 N 4 基陶瓷的微观结构设计
DOI：
10.1557/proc-287-3
发表时间：
1992
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Hoffmann;G. Petzow
通讯作者：
G. Petzow
烧结热等静压技术开发耐高温氮化硅陶瓷的潜力
影响因子：
5.7
作者：
M. Hoffmann;A. Geyer;R. Oberacker
通讯作者：
R. Oberacker
不同微观结构的原位增强氮化硅的 R 曲线行为和强度
影响因子：
3.9
作者：
Chien;Dong‐Joo Lee;Siu‐Ching Lui
通讯作者：
Siu‐Ching Lui
界面性质对氮化硅陶瓷微观结构发展和性能的影响
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
Michael J. Hoffmann;H. Gu;R. M. Cannon
通讯作者：
R. M. Cannon