Influence of the SiO2 gate insulator thinness to the performance and Bias –voltage stress stability of ZnO thin film transistors
Influence of the SiO2 gate insulator thinness to the performance and Bias –voltage stress stability of ZnO thin film transistors
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SiO2栅绝缘体厚度对ZnO薄膜晶体管性能和Bias电压应力稳定性的影响
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.H .Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Zhou;H.P. Lin;J. Li;L. Zhang;X.W Zhang;D. B. Yu;X.Y. Jiang;Z.L. Zhang;J.H .Zhang
