共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討
共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討
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共晶偏析超薄Ge晶体器件工艺研究
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮﨑 誠一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松下 圭吾;大田 晃生;田岡 紀之;牧原 克典;宮﨑 誠一
