Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices
Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices
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SiC (1-100) MOS 器件的氮化引起的退化
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Heiji Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takuma Kobayashi;Takato Nakanuma;Asato Suzuki;Mitsuru Sometani;Mitsuo Okamoto;Akitaka Yoshigoe;Takayoshi Shimura;and Heiji Watanabe
