Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots
Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots
复制标题
基于铁纳米点阵列的双栅单电子器件中由于点的几何结构导致的不均匀栅极电容分布
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yasuo Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Takayuki Gyakushi;Yuki Asai;Beommo Byun;Ikuma Amano;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Masashi Arita;Yasuo Takahashi
