Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates
Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates
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错误取向Si(100)衬底上生长的GaP层晶体缺陷的产生及抑制过程
DOI：
10.1016/s0022-0248(97)00862-2
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发表时间：
1998
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takagi;H. Yonezu;K. Samonji;Takuto Tsuji;N. Ohshima
