InP基板上BeZnSeTe系II-VI族半導体光デバイスにおけるZnSeTe p側コンタクト層の効果
InP基板上BeZnSeTe系II-VI族半導体光デバイスにおけるZnSeTe p側コンタクト層の効果
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InP衬底上BeZnSeTe II-VI族半导体光器件中ZnSeTe p侧接触层的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高松眞吾
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kobayashi;I. Nomura;K. Murakami;and K. Kishino;M.Onoda;高松眞吾,野村一郎,小林俊輝,岸野克巳;小野田光宣;高松眞吾
