Effect of Nitrogen-Doped LaB6 Interfacial Layer on Device Characteristics of Pentacene-Based OFET
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DOI：
10.1587/transele.e100.c.463
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发表时间：
2017-05
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Maeda;S. Ohmi;T. Goto;T. Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Maeda;S. Ohmi;T. Goto;T. Ohmi
