Characteristics of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate using two microscale SiO_2 masks
Characteristics of nonpolar a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate using two microscale SiO_2 masks
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使用两个微米级SiO_2掩模在r面蓝宝石衬底上生长非极性a面GaN的特性
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
孫志壽
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hiyama;E. Kulla;M. Ikeda;L. Barolli and M. Takizawa;孫志壽
