Optical anisotropy of (11-23) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates
Optical anisotropy of (11-23) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates
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GaN衬底上同质外延生长的(11-23)半极性InGaN量子阱的光学各向异性
DOI：
10.1063/5.0081815
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Funato;Y. Matsuda;K. Mori;A. A. Yamaguchi;H. Goto;Y. Sumida;Y. Ishihara;and Y. Kawakami
