サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製
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使用 MOVPE 在蓝宝石衬底上生长 N 极面 (000-1) InGaN 制造红、绿、蓝发光二极管
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
正直 花奈子，崔 正焄，谷川 智之，窪谷 茂幸，花田 貴，片山 竜二，松岡 隆志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Senba;N. Matsumoto;M. Jomura;H. Asada;Y. Fukuma;T. Koyanagi;K. Kishimoto;正直 花奈子，崔 正焄，谷川 智之，窪谷 茂幸，花田 貴，片山 竜二，松岡 隆志
