Direct measurement of the valley splitting in a few-electron silicon quantum dot using charge sensor source-drain bias spectroscopy
Direct measurement of the valley splitting in a few-electron silicon quantum dot using charge sensor source-drain bias spectroscopy
复制标题
使用电荷传感器源漏偏置光谱直接测量少电子硅量子点中的谷分裂
DOI：
--
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
堀部 浩介
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masahito Nakano;Masahiro Nishihara;Hirofumi Yoshioka;Kouhei Ohnishi;Yasufumi Hikichi;A kinori Kiha;堀部 浩介
