Direct observation of LPE heterogrowth of GaAs on a GaP substrate
Direct observation of LPE heterogrowth of GaAs on a GaP substrate
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直接观察 GaP 衬底上 GaAs 的 LPE 异质生长
DOI：
10.1016/s0022-0248(99)00496-0
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发表时间：
2000
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Sukegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Tanaka;N. Izumi;M. Kimura;T. Sukegawa
