2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
2D-In2Se3を利用したSi(111)上GaAsエピ層の薄層剥離
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使用 2D-In2Se3 在 Si(111) 上薄层剥离 GaAs 外延层
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山口 真史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小島 信晃;Wang Yu-Cian;川勝 桂;山本 暠勇;大下 祥雄;山口 真史
