トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
トレンチゲート型SiC-MOSFETにおける放射線誘起破壊現象の物理過程探索と耐性評価
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沟槽栅极 SiC-MOSFET 辐射诱导击穿现象的物理过程探索和电阻评估
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Ueda N. Ikenaga;K. Koshi;K. Iizuka;A. Kuramata;K. Hanada;T. Moribayashi;S. Yamakoshi;and M. Kasu;Hirohisa Hirai and Koji Kita;清水大;高野 修平，牧野 高紘，原田 信介，土方 泰斗，大島 武
